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智能所、跨尺度制造技術重慶市重點實驗室學術報告(156)-后摩爾時代微電子若干新器件

時間:2021-04-20編輯:

  報告題目:后摩爾時代微電子若干新器件

  報告時間:2021年4月21日(周三)15:30

  報告地點:綜合樓413會議室

  報  告 人:韓根全  教授(西安電子科大)

  邀  請 人:陸文強  研究員

  一、報告人簡介: 

    韓根全,博士,西安電子科技大學教授。2016年入選陜西百人計劃并獲得基金委優青項目,2020年獲得國家杰青,2019獲批國家重點研發計劃項目首席科學家。2019年獲得陜西省青年科技獎和電子學會優秀畢業論文優秀導師獎。韓根全教授本科畢業于清華大學材料科學與工程專業,2003年保送到半導體所直博研究生。2008年畢業后加入新加坡國立大學從事高端CMOS器件研究工作,期間帶領一個團隊在高遷移率GeSn溝道MOSFET器件研制方面取得了國際領先的原創性研究成果,被Semiconductor Today等網站多次轉載報道。2013年回國到現在主要從事后摩爾新型微電子器件和研究。2013~2015年,韓根全在重慶大學光電工程學院工作,2015年加入西安電子科技大學微電子學院。 

   韓根全教授圍繞后摩爾新型微電子器件和芯片取得了一系列重要研究成果,在微電子器件重要會議IEEE International Electron Devices Meeting/IEEE Symposium on VLSI Technology和IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Electron Devices等微電子器件旗艦期刊B發表SCI論文200多篇。韓根全主持科研經費超過9000萬,包括國家重點研究計劃、自然科學基金重點項目、優秀青年項目、面上項目、之江實驗室項目等。韓根全目前為IEEE Electron Device Letters編輯。 

  韓根全教授正在開展的研究方向包括,后摩爾先進CMOS器件和芯片、新型鐵電存儲器以及芯片、超寬禁帶Ga2O3功率器件和和光電融合技術等。 

  二、報告摘要: 

  后摩爾時代微電子器件技術和集成電路技術繼續快速發展,各國在半導體技術方面的競爭也進入白熱化。一方面硅基CMOS器件進入到亞7納米時代,器件尺寸進一步縮小,芯片集成度不斷提升;另一方面由于馮諾依曼架構中“存儲墻”的存在以及大數據技術的發展,新型存儲器成為微電子研究的重要課題。報告人將討論后摩爾時代微電子若干新器件技術,包括CMOS邏輯,存儲和功率器件的發展趨勢和研究進展。 

  歡迎全院師生前往交流! 


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